EPC Space Rad Hard GaN分立器件是专门为高可靠性或商业卫星空间环境中的关键系统而设计。该器件具有极高的电子迁移率和较低的温度系数，从而使RDS（on）值非常低。芯片的横向结构提供了非常低的栅极电荷（QG）和极快的开关频率。这些特点从而实现了更高的功率密度、更高的转换效率和体积小、重量轻的电路。

自2019年1月以来，数千个EPC Space Rad-Hard-GaN器件已经进入轨道。